МЕЖДОЛИННОЕ СМЕШИВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ НА ОСНОВЕ Si/SiO2
Развита теория, позволяющая учитывать эффекты междолинного смешивания в гетероструктурах на основе непрямозонных полупроводников. Рассчитана зависимость расщепления основного состояния электрона в квантовых ямах SiO2/Si/SiO2(001) от ширины квантовой ямы.
Авторы: Г. Ф. Глинский, М. С. Миронова
Направление: Физика твердого тела и электроника
Ключевые слова: Наногетероструктуры, квантовые ямы, уравнение Шредингера
Открыть полный текст статьи