Перспективы разработки фотоприемных устройств SWIR-диапазона с коллоидными квантовыми точками
Рассматриваются современные фотодетекторы инфракрасного диапазона (ИК) на основе полупроводниковых коллоидных квантовых точек (ККТ), в том числе ККТ PbS, нанесенные на кремний. Демонстрируется механизм возникновения фототока, связанный с генерацией экситонов в ККТ PbS и Si и последующей их диссоциацией на границе раздела ККТ/Si с переносом носителей заряда в электроды. Показано, что для обеспечения качественного интерфейса гетероперехода ККТ PbS/Si и увеличения эффективности сбора носителей фототока необходима пассивация поверхности кремния. Рассмотрены методы пассивации кремния, приводящие к наибольшему значению внешней квантовой эффективности. Проведено оценочное моделирование гетероперехода ККТ PbS с экситонным пиком на 1550 нм и Si.
Авторы: А. А. Егоренков, Д. С. Мазинг, Р. А. Аввакумов, С. Н. Челышков, В. И. Зубков, В. А. Мошников
Направление: Физика
Ключевые слова: инфракрасные фотодетекторы, коллоидные квантовые точки, пассивация поверхности кремния, PbS
Открыть полный текст статьи