Исследование структур на основе GaP методом электрохимического вольт-фарадного профилирования

Методом вольт-фарадного электрохимического (ECV) профилирования исследовались фосфидгаллиевые подложечные структуры с различной кристаллографической ориентацией и степенью легирования. Дано краткое описание используемого в работе метода ECV-профилирования, показаны его преимущества по сравнению с классическим вольт-фарадным методом. Отработан режим ECV-измерений GaP-структур, подобран состав электролита, отвечающий требованию полирующего характера при электрохимическом травлении образца. В процессе эксперимента измерены вольтамперные и вольт-фарадные характеристики, по которым определен тип проводимости для каждого из образцов. Получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по глубине. Показана однородность легирования образцов примесями p- и n-типа на глубину до 1 мкм.

Авторы: Л. И. Ивкин, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. В. Соломонов

Направление: Физика

Ключевые слова: электрохимическое вольт-фарадное профилирование, ECV, GaP


Открыть полный текст статьи