Влияние способа легирования на вольт-амперные характеристики инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs-гетероструктур
Исследовалось влияние способа легирования квантовых ям на вид вольт-амперных характеристик охлаждаемых инфракрасных фотодетекторов на основе GaAs/AlGaAs-гетероструктур, чувствительных в длинноволновой области спектра 8…10 мкм. Структуры выращивались на отечественной установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Легирование осуществлялось посредством открытия заслонок перед тиглем с кремнием во время роста квантовых ям. Варьируемым параметром было положение легированной области внутри квантовой ямы. По окончании технологического процесса на всех образцах были сняты вольт-амперные характеристики. Выявлено существенное влияние положения легированной области в квантовой яме на вид вольт-амперных характеристик QWIP, обусловленное сегрегацией легирующей примеси (Si) в барьерные слои.
Авторы: А. Л. Дудин, И. В. Коган, Л. С. Богословская, В. И. Зубков
Направление: Физика
Ключевые слова: инфракрасные фотодетекторы с квантовыми ямами, сегрегация легирующей примеси, вольт-амперные характеристики
Открыть полный текст статьи