О физических процессах в мемристорах
Рассматриваются физические процессы (окислительно-восстановительные, фазоизменяющие, спиновые и ферроэлектрические), лежащие в основе создания мемристоров. Выполнен сравнительный анализ характеристик и свойств мемристоров, построенных на основе разных физических процессов. К сравниваемым свойствам отнесены масштабируемость, надежность, производительность, а также линейность, симметричность и уровневость – признаки, которые важны в нейроморфных вычислениях. По многим свойствам окисно-восстановительный механизм резистивного переключения определен как перспективный для мемристоров, применяемых в архитектуре фон Неймана и в нейромофных системах вычисления.
Авторы: Е. Б. Соловьева, В. А. Смирнов
Направление: Электротехника
Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, пассивный элемент, нелинейный элемент, нанотехнология
Открыть полный текст статьи