Диагностика электрофизических параметров активных и буферных слоев нитридгаллиевых HEMT гетероструктур
Методом электрохимического вольт-фарадного (ECV) профилирования исследованы нитридгаллиевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT). Измерены вольт-фарадные характеристики и спектры проводимости на различных частотах, получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктур, определено пространственное расположение, а также уровни заполнения квантовых ям носителями заряда. Подробно изложены причины возникновения двумерного электронного газа (ДЭГ) в канале GaN HEMT, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, а также факторы влияющие на плотность носителей заряда в канале и рабочие характеристики GaN HEMT гетероструктур. Показана эффективность метода ECV для контроля качества как активных так и буферных слоев GaN HEMT гетероструктур. С учетом пьезоэлектрических полей проведен расчет плотности ДЭГ для различных технологических параметров интерфейса, таких, как взаимная ориентация слоев AlGaN/GaN и состав AlxGa1-xN.
Авторы: Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. В. Соломонов
Направление: Физика
Ключевые слова: Электрхимическое вольт-фарадное профилирование, ECV, HEMT, GaN, КЯ, пьезоэлектрическая поляризация
Открыть полный текст статьи