Управление электрофизическими свойствами канала силовых МДП-транзисторов на 4H-SiC
Представлены и обобщены различные технологические способы контроля электрофизических свойств канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния, такие как формирование подзатворного диэлектрика термическим окислением или осаждением с последующим отжигом, введение элементов V группы на границу раздела различными способами, а также заглубление канала транзистора при помощи газофазной эпитаксии. Проведено сравнение характеристик латеральных МДП-транзисторов, сформированных на двух типах p-областей: на низколегированном эпитаксиальном слое с концентрацией алюминия 1 · 1016 см–3 и высоколегированной p-области с концентрацией алюминия 1 · 1018 см–3. Полученные результаты позволяют заключить, что для увеличения подвижности носителей заряда в канале транзистора, снижения его порогового напряжения включения и увеличения напряженности поля пробоя подзатворного диэлектрика предпочтительными подходами являются: формирование p-области транзистора на низколегированном эпитаксиальном слое, имплантация фосфора или мышьяка в канал транзистора перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в комбинации с пассивацией поверхностных состояний введением атомов азота на границу раздела 4H-SiC/SiO2.
Авторы: А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин,С. А. Решанов, А. Шёнер
Направление: Физика
Ключевые слова: Силовая электроника, карбид кремния, МДП-транзистор, граница раздела, подзатворный диэлектрик, канал, подвижность
Открыть полный текст статьи