Особенности роста слоев нестехиометрического оксида кремния с нанокристаллами, получаемых методом плазмохимического осаждения

Рассказывается об особенностях роста нестехиометрического оксида кремния, содержащего нанокристаллы (nc-SiOx : H), получаемого методом плазмохимического осаждения, в сравнении с механизмами роста слоев аморфного кремния, содержащего нанокристаллы кремния (nc-Si : H). Показано влияние давления в процессной камере и мощности разряда плазмы на свойства получаемых пленок nc-SiOx : H. Предложен механизм формирования слоев, отличительной особенностью которого является вытравливание нанокристаллов кремния водородной плазмой в процессе формирования слоя.

Авторы: А. В. Кукин, Е. Е. Терукова, А. В. Семенов, Д. А. Андроников

Направление: Физическая электроника и технологии микро- и наноструктур

Ключевые слова: Нанокристаллы кремния, солнечная энергетика, тонкие пленки, плазмохимическое осаждение

---

Открыть полный текст статьи