Электрофизические и оптические исследования полупроводниковых гетероструктур и пластин на базе криогенной зондовой станции в диапазоне температур от 15 до 475 K
Разработана автоматизированная система для комплексных электрофизических и оптических исследований полупроводниковых наногетероструктур, работающая в широком температурном интервале от 15 до 475 К. Установка позволяет измерять температурные и частотные спектры адмиттанса и спектры люминесценции гетероструктур, в том числе на основе широкозонных полупроводников, сформированных на подложках диаметром до 50.2 мм, а также распределение параметров по пластине. В состав установки входит гелиевая криогенная зондовая станция замкнутого цикла, LCR-метр и контроллер температуры. Представлены результаты характеризации структур на основе 4Н–SiC и множественных квантовых ям InGaN/GaN.
Авторы: В. И. Зубков, О. В. Кучерова, И. Н. Яковлев, В. Н. Черкасова, В. А. Ильин, А. В. Соломонов
Направление: Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах
Ключевые слова: Спектроскопия адмиттанса, вольт-фарадные измерения, InGaN/GaN, SiС
Открыть полный текст статьи