Оптимизация процесса пассивации дефектов на поверхности кремниевых пластин при формировании гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя
Представлены результаты получения гетероструктурных солнечных элементов на кристаллическом кремнии путем напыления на его поверхность тонкого слоя из аморфного гидрогенизированного крем- ния. Описана процедура формирования гетероперехода и пассивации дефектов на поверхности кри- сталлического кремния. Показана возможность получения времени жизни неосновных носителей заряда более 1 мкс в пластине кристаллического кремния после пассивации ее поверхности, что является до- статочным условием для создания гетероструктурного солнечного элемента на кремнии с эффектив- ностью более 20 %.
Авторы: Д. Л. Орехов
Направление: Физическая электроника и технологии микро- и наноструктур
Ключевые слова: Солнечные элементы, аморфный гидрогенизированный кремний, гетеропереход, эффективность солнечного элемента
Открыть полный текст статьи