ОСОБЫЕ СИТУАЦИИ ПРИ СЖАТИИ ТОПОЛОГИИ ФРАГМЕНТОВ СБИС С ИЗМЕНЕНИЕМ ФОРМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Описаны способы борьбы с чрезмерным изменением электрических характеристик схем при сжатии топологии с изменением формы транзисторов, обеспечивающим предельно плотную упаковку топологии фрагментов СБИС.
Авторы: С. Э. Миронов, А. О. Монько, Н. М. Сафьянников
Направление: Информатика, управление и компьютерные технологии
Ключевые слова: Технологически инвариантное проектирование топологии, изменение формы транзисторов, автоматизация
Открыть полный текст статьи