РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ САПФИРА ДЛЯ ОЦЕНКИ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ
Рассчитан градиент температур в кристаллах сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. Применяется математическое моделирование в трехмерных координатах методом конечных объемов на неструктурированной сетке. Проведена оценка размеров и поведения газовых пузырьков вблизи фронта кристаллизации расплава сапфира. Результаты моделирования процессов в кристалле сапфира позволяют решать задачу получения кристаллов с пониженным уровнем дефектов.
Авторы: С. П. Малюков, Ю. В. Клунникова
Направление: Физика твердого тела и электроника
Ключевые слова: Технологический процесс, метод горизонтальной направленной кристаллизации, монокристаллы сапфира, распределение температур
Открыть полный текст статьи