Вакуумное напыление многослойных тонкопленочных резистивных структур с температурной самокомпенсацией для сверхпрецизионных чип-резисторов
Представлены основные режимы получения и стабилизации многослойных тонкопленочных резистивных структур с температурной самокомпенсацией, позволяющей достичь значений температурного коэффициента сопротивления (ТКС) не более ±2 · 10–6 и нестабильностью сопротивления не более ±(0.01–0.02) %. В качестве резистивных пленок на основе нихрома был выбран сплав Х20Н75Ю, а также керметы К-20С и К-30С. Резистивный слой представляет собой двухслойную структуру, его получают в едином технологическом цикле в вакууме из двух высокостабильных материалов с положительным и отрицательным ТКС. Результаты исследований электрофизических характеристик прецизионных тонкопленочных резисторов из сплава Х20Н75Ю и керметов К-20С и К-30С подтверждают возможность комбинирования резистивных пленок из указанных материалов. Выбирая соотношения толщин слоев с положительным и отрицательным ТКС в двухслойной тонкопленочной структуре, можно добиться ТКС, близкого к нулевому значению. Технология исключила операцию термостабилизации в вакууме на фотолитографии при травлении контактных площадок после напыления пленок. Для исследования температурных характеристик резистор на основе полученной многослойной тонкопленочной структуры был разварен тонкой проволокой в чип-корпус.
Авторы: В. Д. Зуев, А. А. Рыжов, С. А. Гурин, А. Э. Шепелева, М. Д. Новичков, П. А. Гурин
Направление: Физика
Ключевые слова: технология тонкопленочной микроэлектроники, тонкопленочный резистор, температурный коэффициент сопротивления, нестабильность сопротивления
Открыть полный текст статьи