Гибридный матричный фотоприемник для ИК-области спектра
Рассмотрены конструкция и принцип работы гетероструктурного InP/InGaAs/InP-фотокатода в фотоэлектронном приборе для ближнего ИК-диапазона. Представлены результаты оптимизации гибридного фото-приемника для области спектра 0.95…1.65 мкм на основе данной гетероструктуры с твердым раствором состава In0.53Ga0.47As. Повышение уровня вакуума в камере запрессовки и увеличение толщины слоя InGaAs – поглотителя излучения – позволило поднять квантовый выход с 5 до 12 %. Описаны физические механизмы, приводящие к снижению квантового выхода фотокатода. Измерена скорость деградации квантового выхода для трех гибридных приборов. Проанализированы и предложены методы, позволяющие снизить скорость деградации чувствительности фотокатода. Измеренная спектральная чувствительность разработанного гибридного прибора в 20 раз превышает чувствительность лучших твердотельных матричных ИК-фотоприемников.
Авторы: А. А. Егоренков, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, Д. Е. Миронов, А. В. Пашук, М. Р. Айнбунд
Направление: Физика
Ключевые слова: ИК-фотоприемник, гибридный прибор, фотокатод, квантовый выход, сверхвысокий вакуум
Открыть полный текст статьи