О приближенной оценке оптимальных параметров одноконтурных генераторов сверхкоротких импульсов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением
На основании изложенного в [1] метода оценки максимального заряда неосновных носителей, запасаемого в слоях структур карбид-кремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) при пропускании через них импульса прямого тока накачки с заданной плотностью, предложен метод приближенной оценки параметров одноконтурных генераторов сверхкоротких импульсов напряжения (СКИ) на основе 4H-SiC ДДРВ. Методика апробирована сравнением с результатами численного моделирования схемы генератора СКИ на основе 4H-SiC ДДРВ в качестве сверхбыстродействующего размыкателя тока в САПР Synopsys. Предложенный способ оценки предназначен для выбора оптимальных режимов работы ДДРВ в составе схем генерации сверхкоротких импульсов напряжения, что позволяет получить максимально возможные для данных схем значения КПД, минимизировав тем самым коммутационные потери заряда при переключении диодов.
Авторы: С. А. Шевченко, Б. В. Иванов, А. А. Смирнов, В. В. Лучинин, В. А. Ильин, А. В. Афанасьев, А. Ф. Кардо-Сысоев
Направление: Физика
Ключевые слова: Дрейфовый диод с резким восстановлением, ДДРВ, генератор субнаносекундных импульсов, накопление заряда, моделирование в Synopsys Sentaurus TCAD
Открыть полный текст статьи