Характеризация функциональных областей карбидокремниевых эпитаксиальных и приборных структур методом РЭМ в режиме контраста легирования
Отработаны режимы получения контраста легирования в РЭМ растровом электронном микроскопе для карбидокремниевых эпитаксиальных и ионноимплантированных структур, позволяющие характеризовать функциональные 4H-SiC области в части типа проводимости, уровней легирования и геометрических размеров. Показано влияние энергии первичного пучка электронов на величину контраста. Установлено, что максимальный контраст в режиме регистрации вторичных электронов наблюдается при работе РЭМ в низковольтном режиме при энергиях первичных электронов 2-6 кэВ. Проведены исследования топологии анизотипных областей 4H-SiC JBS-диода и послойный анализ высоковольтного мезаэпитаксиального 4H-SiC p-i-n диода. Приведено расположение внутренних областей структуры диодов, их толщины и тип проводимости. Оценены толщины функциональных слоев исследуемых структур. Показано, что разработанная методика позволяет идентифицировать в приборных структурах 4H-SiC функциональные области различного типа проводимости, с приемлемой точностью измерять их толщины, а также качественно оценивать их уровня уровни легирования. Выдвинуто предположение о возможности количественной оценки примесей в функциональном слое.
Авторы: А. В. Афанасьев, В. А. Голубков, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, А.А. Рябко, К. А. Сергушичев, В. В. Трушлякова, С. А. Решанов
Направление: Информатика, вычислительная техника и управление
Ключевые слова: Растровая электронная микроскопия, контраст легирования, карбид кремния, эпитаксиальная структура, p-i-n диод, JBS-диод
Открыть полный текст статьи