Электрохимическое вольт-фарадное профилирование неоднородно-легированных арсенид-галлиевых светоизлучающих гетероструктур
Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV) исследованы светоизлучающие гетероструктуры с одиночными и множественными квантовыми ямами (КЯ) на базе соединений GaAs/InGaAs. Измерены вольт-фарадные характеристики, получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктур, определены пространственные расположения, а также уровни заполнения КЯ носителями заряда. На примере гетероструктур с одиночной КЯ рассмотрены ограничения емкостных методов профилирования нелегированных КЯ, расположенных вблизи металлургической границы p–n-перехода. В частности, подробно рассмотрены явления, связанные с дебаевским размытием, построена и проанализирована зависимость области объемного заряда от уровня легирования. Представлена эволюция вольт-фарадных характеристик в процессе ECV-профилирования неоднородно-легированных p–n-гетероструктур. Для гетероструктуры с множественными КЯ зафиксирован отклик от шести КЯ.
Авторы: Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин
Направление: Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах
Ключевые слова: Электрохимическое вольт-фарадное профилирование, ECV, СИД, GaAs, КЯ, МКЯ, КТ, ВФХ, неоднородное легирование
Открыть полный текст статьи