Модель термического окисления карбида кремния
Представлена модель термического окисления карбида кремния, в которой взаимодействие с окислителем происходит на фронте объемной реакции. Ширина реакционной зоны соответствует ширине переходного слоя с нарушенной стехиометрией. Модель учитывает релаксацию коэффициента диффузии окислителя от значения в напряженном диоксиде кремния до значения коэффициента диффузии в плавленом кварце. Релаксация связывается со структурной перестройкой аморфного диоксида кремния при удалении от границы реакционной зоны. Характеристическое время релаксации для коэффициента диффузии в диоксиде кремния соответствует времени релаксации внутренних механических напряжений. Результаты расчетов по модели хорошо описывают кинетику термического окисления карбида кремния в широком диапазоне толщин и температур. Модель может использоваться для создания комплекса программного обеспечения, позволяющего прогнозировать рост тонких диэлектрических пленок на полупроводниковых пластинах карбида кремния.
Авторы: Д. М. Беневоленский, А. И. Дусь, С. М. Мовнин, А. К. Шануренко
Направление: Физическая электроника и технологии микро- и наноструктур
Ключевые слова: Окисление карбида кремния, диффузия кислорода, переходный слой, вязкоупругое течение оксида
Открыть полный текст статьи