Исследование параметров полевого транзистора с затвором Шотки в среде Synopsys Sentaurus TCAD
Приведено исследование параметров полевого транзистора с затвором Шотки и гетероструктурой AlAs/GaAs в среде Synopsys Sentaurus TCAD. Проведено моделирование эффектов, связанных со статическим разбросом параметров транзистора. При моделировании расчет полупроводниковых структур сводится к решению методом конечных элементов известных фундаментальных уравнений. Расчет проводился с учетом гидродинамической модели. При исследовании учитывались следующие параметры модели: влияние поверх-ностных зарядов, радиационная рекомбинация, рекомбинация Шокли–Рида–Холла, распределение концен-трации носителей заряда по закону Гаусса и др. Представлена часть программного кода, отвечающая за опи-санные параметры. В результате проведенных исследований найден ряд параметров, оказывающих наиболь-шее влияние на характеристики транзистора и требующих тщательного экспериментального определения.
Авторы: Д. В. Щукин, Н. И. Михайлов, В. В. Перепеловский, Я. Н. Паничев, В. В. Марочкин, И. С. Пушница, О. Р. Фазылханов
Направление: Физическая электроника и технологии микро- и наноструктур
Ключевые слова: Полевой транзистор, гетероструктура, гидродинамическая модель, затвор Шотки, AlAs/GaAs, Synopsys TCAD
Открыть полный текст статьи