Электрохимическое вольт-фарадное профилирование арсенид- и нитридгаллиевых HEMT-гетероструктур
Дан краткий обзор принципа работы и особенностей возникновения двумерного электронного газа (2DEG) в арсенид- и нитридгаллиевых транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT). Приведены основные области применения современных HEMT. Представлена краткая история создания и основные разновидности структур, лежащих в основе таких приборов. Особое внимание уделяется объяснению возникновения проводящего канала вследствие поляризационных эффектов, имеющих место в нитридных структурах. Также приведено описание современного эффективного метода диагностики концентрации основных носителей заряда в HEMT-структурах – электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Методом ECV исследовались полупроводниковые HEMT-гетероструктуры на базе AlGaAs/InGaAs/GaAs и AlGaN/GaN. Определены профили концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктур, плотность двумерного электронного газа в квантовой яме (КЯ). Проведен анализ и сравнение заполнения КЯ носителями заряда в зависимости от типа легирования эмиттерного слоя и механизма образования 2DEG-канала.
Авторы: Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков
Направление: Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах
Ключевые слова: Электрохимическое вольт-фарадное профилирование, ECV, pHEMT, дельта-легирование, HEMT, GaAs, InGaAs/GaAs/AlGaAs, GaN, GaN/AlGaN, 2DEG
Открыть полный текст статьи