Гетероструктуры на основе широкозонных соединений AlGaN для фото- и оптоэлектронных приборов среднего ультрафиолетового диапазона
Посвящена новому сегменту полупроводниковой фото- и оптоэлектроники среднего ультрафиолетового (УФ) диапазона (l < 300 нм) на основе широкозонных соединений в системе материалов (Al,Ga)N. Описаны пути решения основных проблем эпитаксиального роста AlGaN-гетероструктур с использованием плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках с-Al2O3 и представлены результаты по приборным гетероструктурам УФ-фотокатодов с отрицательным электронным сродством, p–i–n-фотодиодам, светодиодам, мощным источникам спонтанного УФ-излучения с электронной накачкой и УФ-лазерным источникам с оптической накачкой.
Авторы: В. Н. Жмерик, А. А. Торопов, С. В. Иванов
Направление: Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах
Ключевые слова: Широкозонные соединения нитридов третьей группы III-N, AlGaN-гетероструктуры, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия, ультрафиолетовая фото- и оптоэлектроника
Открыть полный текст статьи